Neues Verfahren erhöht Transistordichte auf Siliziumchips

Doktorand Zhu und der hocheffektive Zwei-Kammer-Ofen (Foto: mit.edu)

Forscher am Massachusetts Institute of Technology (MIT) haben ein Verfahren entwickelt, Transistoren, die nur drei Atomlagen dick sind, direkt auf Silizium-Chips wachsen zu lassen. Das erhöht die Transistordichte und damit die Leistung der Bauteile. Das ist wichtig für neue Anwendungen auf Basis von Künstlicher Intelligenz (KI) wie Chatbots, die natürliche menschliche Sprache erzeugen.

Alternativ-Transistor in nur einem Molekül

Modell des transistorähnlichen Moleküls (Bild: Daniel Strand, Jonas Ahlstedt, lunduniversity.lu.se)

Forscher der Universität Lund arbeiten an Computern der Zukunft mit minimalem Stromverbrauch. Sie haben ein einfaches Kohlenwasserstoffmolekül mit einer Logik-Gate-Funktion hergestellt, wie sie auch in Transistoren vorkommt. Das könnte ein wichtiger Schritt auf dem Weg zu elektronischen Bauelementen auf molekularer Ebene sein.

Memristoren reduzieren Energieverbrauch von KI-Systemen massiv

Energiesparwunder: Siliziumwafer voller Memristoren (Foto: ucl.ac.uk)

Forscher am University College London (UCL) haben eine Technik präsentiert, die den Energieverbrauch von Systemen mit Künstlicher Intelligenz (KI) auf weniger als eine Tonne CO2 reduziert. Schlüsselelemente sind Memristoren, elektronische Bauelemente, die die Eigenschaften eines Datenspeichers und eines Transistors vereinen. Da das rechnende Element nicht mehr vom Speicher getrennt ist, entfallen die Wege zwischen beiden, bei denen Verluste auftreten.

Forscher der Universität Genf entdecken neues Material für stromsparende Transistoren

Regelmäßig angeordnete Schichten aus Nickelaten (Foto: unige.ch)

Bei der Suche nach einem Halbleitermaterial, aus dem sich elektronische Bauteile mit geringem Stromverbrauch herstellen lassen, ist ein internationales Forscher-Team um Jean-Marc Triscone vom Institut für Quanten der Universität Genf, auf ein bisher unbekanntes physikalisches Phänomen in einem künstlichen Material gestossen, das aus sehr dünnen Schichten aus Nickelaten besteht.

Simulations-Mikroskop prüft Transistoren der Zukunft

Struktur eines single-​gate Feldeffekttransistors mit einem Kanal aus einem zweidimensionalen Material. Drumherum angeordnet befindet sich eine Auswahl an zweidimensionalen Materialien, die untersucht wurden. (Grafik: ETH Zürich / EPFL / CSCS)

Seit der Entdeckung von Graphen stehen zweidimensionale Materialien im Fokus der Materialforschung. Mit ihnen liessen sich unter anderem winzige, leistungsstarke Transistoren bauen. Forscher der ETH Zürich und der EPF Lausanne haben nun aus 100 möglichen Materialien 13 vielversprechende Kandidaten entdeckt.

Neuartige Transistoren sollen Leistungsschub für 5G-Technologien bringen

Von einem neuartigen Leistungstransistor aus Galliumnitrid verspricht sich die Elektronikindustrie erhebliche Vorteile gegenüber derzeit eingesetzten Hochfrequenztransistoren. Die Entwicklung schnellerer und leistungsfähigerer Transistoren ist eine Grundvoraussetzung für die Umstellung der Kommunikationsnetze auf den kommenden 5G-Standard.

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